Organisasi DRAM Tingkat Lanjut

Organisasi DRAM Tingkat Lanjut

Organisasi DRAM Tingkat Lanjut

Organisasi DRAM Tingkat Lanjut

a. Enhanced DRAM

EDRAM (Enhanched DRAM) merupakan model DRAM yang paling simple, dan memiliki SRAM cache yang terintegrasi di dalamnya. Dalam model EDRAM 4 bit, SRAM cache-nya akan menyimpan seluruh isi dari baris terakhir yang dibaca, dimana terdiri dari 2048 bit, atau 512 4-bit potongan. Sebuah komparator menyimpan 11-bit nilai dari alamat baris yang sering diakses. Jika akses selanjutnya pada baris yang sama, maka hanya butuh akses terhadap SRAM cache yang cepat.

b. Cache DRAM

Cache DRAM (CDRAM), yang dibuat oleh Mitsubishi [HIDA90], sama dengan EDRAM. CDRAM mencakup cache SRAM cache SRAM yang lebih besar dari EDRAM (16 vs 2 kb).
SRAM pada CDRAM dapat digunakan dengan dua cara. Pertama, dapat digunakan sebagai true cache, yang terdiri dari sejumlah saluran 64-bit. Hal ini sebaliknya dengan EDRAM, di mana cache SRAM hanya berisi sebuah blok, yaitu the most recently accessed row. Mode cache CDRAM cukup efektif untuk access random ke memori.

c. Synchronous DRAM (SDRAM)

Tidak seperti DRAM biasa, yang bersifat asinkron, SDRAM saling bertukar data dengan processor yang disinkronkan dengan signal pewaktu eksternal dan bekerja dengan kecepatan penuh bus processor/memori tanpa mengenal keadaan wait dan menunggu state.

Dengan menggunakan mode akses synchronous

pergerakan data masuk dan keluar DRAM akan dikontrol oleh clock system. Processor akan meminta informasi instruksi dan alamat, yang diatur oleh DRAM. DRAM akan merespon setelah clock cycle tertentu. Dengan demikian, processor dapat dengan aman melakukan tugas lain sementara SDRAM memproses request
Pada SDRAM juga dikenal istilah SDR (Single Date Rate) dan DDR (Double Date Rate). SDR SDRAM dapat diartikan sebagai DRAM yang memiliki kemampuan transfer data secara single line (satu jalur saja). Sementara DDR SDRAM memiliki kemampuan untuk melakukan transfer data secara double line.

d. Rambus DRAM
RDRAM merupakan memori yang melakukan pendekatan lebih kepada masalah bandwidth. Rambus DRAM dikembangkan oleh RAMBUS, Inc., Pengembangan ini menjadi polemik karena Intel© berusaha memperkenalkan PC133MHz. RDRAM memiliki chip yang terpasang secara vertikal, dimana semua pin berada pada satu sisi. Chips akan melakukan pertukaran data dengan processor melalui 28 jalur (kabel) yang tidak lebih pangajng dari 12 cm. Busnya dapat menampung alamat lebih dari 320 RDRAM chip dan dengan rata-rata kecepatan sekitar 500Mbps. Oleh karena itulah, RDRAM memiliki kecepatan yang jauh lebih besar dibanding tipe DRAM lainnya.
e. RamLink
Ramlink merupakan inovasi radikal pada DRAM tradisional. RamLink berkonsentrasi pada interface processor/memori dibandingkan pada arsitektur internal keping DRAM. RamLink adalah memori interface yang memiliki koneksi point-to-point yang disusun dalam bentuk cincin. Lalu lintas pada cincin diatur oleh pengontrol memori yang mengirimkan pesan ke keping-keping DRAM, yang berfungsi sebagai simul-simpul pada jaringan cincin. Data saling dipertukarkan dalam bentuk paket.

MEMORI VIRTUAL

Ada 2 teknik yang digunakan memori virtual utnuk memetakan alamat efektif kedalam alamat fisik yaitu :
1. Paging
 Adalah teknik yang berorientasi hardware untuk mengelola memori fisik
 Menggunakan paging agar program besar dapat berjalan pada komputer yang mempunyai fisik kecil.
 Hardware memori virtual membagi alamat logis menjadi 2 yaitu virtual page number dan word offset.
 Membagi alamat logis dan memori menjadi page yang berukuran tertentu.

Baca Juga :